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Produktinformationen
Der kosteneffiziente Infrarot-Emitter JSIR340-4 ist optimiert für die NDIR Gasanalyse und andere Infrarot Messanwendungen wie DIR Spektroskopie, ATR Spektroskopie oder PAS Spektroskopie. Die Membran der CMOS basierten IR-Emitter erreicht Membrantemperaturen von bis zu 800 °C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung für industrielle Anwendungen zur Kontrolle und Überwachung von Prozessgasen bei Umgebungstemperaturen zwischen -20 und 85 °C.
Der Silizium Filter optimiert die Strahlungsleistung im Wellenlängen Bereich von UV bis 15.5 µm.
Als SMD Package ist der JSIR340 besonders für automatisierte pick-and-place-Montage und für hohe Stückzahlen geeignet.
Der in unseren IR-Emittern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-CMOSI-Schicht enthält. Der Emitter Chip hat eine aktive Fläche von 2.2 x 2.2 mm2 und basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.
Unser Vertriebsteam berät Sie gern zu kundenspezifische Anpassungen und Staffelpreisen für hohe Stückzahlen. Weitere technische Informationen finden Sie im Datenblatt.
Technische Daten
| Gehäuse | SMD |
|---|---|
| Add-on | Nein |
| Fenster/Filter | Available |
| Füllgas | Ja |
| Aktive Fläche [mm²] | 2.2 x 2.2 |
| Energieverbrauch | Normal |
| Spektralleistung [µm] | Typ. 2–15 |
| Temperaturkoeffizient [ppm/K.] | Typ. 1250 |
| Zeitkonstante [ms] | Typ. 15 |
| Nennleistung [W] | 0,65 |
| Zielgas |
|
